SiC субстрат
Сипаттама
Кремний карбиді (SiC) – IV-IV топтың екілік қосылысы, периодтық жүйенің IV тобындағы жалғыз тұрақты қатты қосылыс, маңызды жартылай өткізгіш.SiC тамаша жылу, механикалық, химиялық және электрлік қасиеттерге ие, бұл оны жоғары температуралы, жоғары жиілікті және жоғары қуатты электронды құрылғыларды жасау үшін ең жақсы материалдардың бірі етеді, SiC сонымен қатар субстрат материалы ретінде пайдаланылуы мүмкін. GaN негізіндегі көк жарық диодтары үшін.Қазіргі уақытта 4H-SiC нарықтағы негізгі өнімдер болып табылады және өткізгіштік түрі жартылай оқшаулағыш және N типіне бөлінеді.
Қасиеттер
| Элемент | 2 дюймдік 4H N-түрі | ||
| Диаметрі | 2 дюйм (50,8 мм) | ||
| Қалыңдық | 350+/-25 ммм | ||
| Бағдарлау | осінен тыс 4,0˚ <1120> ± 0,5˚ | ||
| Бастапқы тегіс бағдарлау | <1-100> ± 5° | ||
| Қосымша пәтер Бағдарлау | Негізгі пәтерден 90,0˚ CW ± 5,0˚, Si беті жоғары | ||
| Негізгі жазық ұзындық | 16 ± 2,0 | ||
| Қосымша жазық ұзындық | 8 ± 2,0 | ||
| Баға | Өндіріс дәрежесі (P) | Зерттеу дәрежесі (R) | Жалған баға (D) |
| Қарсылық | 0,015~0,028 Ом·см | < 0,1 Ом·см | < 0,1 Ом·см |
| Микроқұбырдың тығыздығы | ≤ 1 микроқұбыр/см² | ≤ 1 0микроқұбыр/см² | ≤ 30 микроқұбыр/см² |
| Бетінің кедір-бұдырлығы | Si беті CMP Ra <0,5нм, C Бет Ra <1 нм | Жоқ, пайдалы аумақ > 75% | |
| TTV | < 8 мм | < 10 мм | < 15 мм |
| Садақ | < ±8 мм | < ±10um | < ±15 мм |
| Бұрыш | < 15 мм | < 20 мм | < 25 мм |
| Жарықтар | Жоқ | Жиынтық ұзындығы ≤ 3 мм | Жиынтық ұзындығы ≤10мм, |
| Сызаттар | ≤ 3 сызат, жинақталған | ≤ 5 сызаттар, жинақталған | ≤ 10 сызаттар, жинақталған |
| Алты қырлы тақталар | максимум 6 табақша, | максимум 12 табақша, | Жоқ, пайдалы аумақ > 75% |
| Политипті аймақтар | Жоқ | Жиынтық ауданы ≤ 5% | Жиынтық ауданы ≤ 10% |
| Ластану | Жоқ | ||
