PMN-PT субстрат
Сипаттама
PMN-PT кристалы өзінің өте жоғары электромеханикалық байланыс коэффициентімен, жоғары пьезоэлектрлік коэффициентімен, жоғары деформациямен және төмен диэлектрлік шығынмен танымал.
Қасиеттер
| Химиялық құрамы | ( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Құрылым | R3m, ромбоэдрлік |
| Тор | a0 ~ 4,024Å |
| Балқу нүктесі（℃） | 1280 |
| Тығыздығы (г/см3) | 8.1 |
| Пьезоэлектрлік коэффициент d33 | >2000 pC/N |
| Диэлектрлік шығын | танды<0,9 |
| Құрамы | морфотропты фаза шекарасына жақын |
PMN-PT субстрат анықтамасы
PMN-PT субстраты PMN-PT пьезоэлектрлік материалынан жасалған жұқа пленкаға немесе пластинаға жатады.Ол әртүрлі электронды немесе оптоэлектрондық құрылғылар үшін тірек базасы немесе негіз ретінде қызмет етеді.
PMN-PT контекстінде субстрат әдетте жұқа қабаттарды немесе құрылымдарды өсіруге немесе орналастыруға болатын тегіс қатты бет болып табылады.PMN-PT субстраттары әдетте пьезоэлектрлік сенсорлар, жетектер, түрлендіргіштер және энергия жинағыштар сияқты құрылғыларды жасау үшін қолданылады.
Бұл субстраттар PMN-PT пьезоэлектрлік қасиеттерін құрылғыларға біріктіруге мүмкіндік беретін қосымша қабаттардың немесе құрылымдардың өсуі немесе тұндыру үшін тұрақты платформаны қамтамасыз етеді.PMN-PT субстраттарының жұқа пленка немесе вафельді пішіні материалдың тамаша пьезоэлектрлік қасиеттерін пайдаланатын ықшам және тиімді құрылғыларды жасай алады.
қосымша тауарлар
Жоғары тордың сәйкестігі екі түрлі материалдар арасындағы тор құрылымдарының туралануын немесе сәйкестігін білдіреді.MCT (сынап кадмий теллуриді) жартылай өткізгіштерінің контекстінде жоғары торлы сәйкестік қажет, себебі ол жоғары сапалы, ақаусыз эпитаксиалды қабаттардың өсуіне мүмкіндік береді.
MCT - инфрақызыл детекторлар мен бейнелеу құрылғыларында жиі қолданылатын құрама жартылай өткізгіш материал.Құрылғы өнімділігін арттыру үшін негізгі субстрат материалының тор құрылымына (әдетте CdZnTe немесе GaAs) сәйкес келетін MCT эпитаксиалды қабаттарын өсіру өте маңызды.
Торлардың жоғары сәйкестігіне қол жеткізу арқылы қабаттар арасындағы кристалды теңестіру жақсарады, ал интерфейстегі ақаулар мен деформациялар азаяды.Бұл жақсы кристалдық сапаға, жақсартылған электрлік және оптикалық қасиеттерге және жақсартылған құрылғы өнімділігіне әкеледі.
Тордың жоғары сәйкестігі инфрақызыл бейнелеу және сезу сияқты қолданбалар үшін маңызды, мұнда тіпті кішкентай ақаулар немесе кемшіліктер құрылғы өнімділігін төмендетеді, сезімталдық, кеңістіктік ажыратымдылық және сигнал-шуыл қатынасы сияқты факторларға әсер етеді.
